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本发明涉及半导体制造工艺，尤其涉及能有效减少在化学机械抛光过程中引入的研磨剂残留的方法。按照本发明的化学机械抛光方法包括下列步骤：研磨步骤，利用浆料来研磨晶圆的表面；以及冲洗步骤，利用流体冲洗所述晶圆的表面以去除残留在所述表面的浆料，其中，...
该专利属于无锡华润上华科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡华润上华科技有限公司授权不得商用。

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