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本发明公开一种具有取向性的纳米晶钛薄膜及制备方法。所述具有取向性的纳米晶钛薄膜即利用磁控溅射方法制备的择优晶粒取向（002），晶粒尺寸为2～500nm，厚度为100nm～3μm的纳米晶钛薄膜。其制备方法即将基体超声清洗、烘干后放入真空室，采...
该专利属于上海理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过上海理工大学授权不得商用。

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