一种具有取向性的纳米晶钛薄膜及其制备方法技术

本发明专利技术公开一种具有取向性的纳米晶钛薄膜及制备方法。所述具有取向性的纳米晶钛薄膜即利用磁控溅射方法制备的择优晶粒取向（002），晶粒尺寸为2～500nm，厚度为100nm～3μm的纳米晶钛薄膜。其制备方法即将基体超声清洗、烘干后放入真空室，采用高纯钛为靶材，安装基体，调整靶基距为50～120mm；调节背底真空度为1E-5～10E-5Pa，通入Ar气，气压在0.2～2Pa，控制溅射功率25～300W，基底加热温度为23～500℃，偏压0～-100mV，预溅射5～15min后采用直流溅射进行薄膜沉积10～120min即得具有高反射率、良好的热稳定性和耐腐蚀性及生物兼容性的具有取向性的纳米晶钛薄膜。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种具有取向性的纳米晶钛薄膜，其特征在于所述的具有取向性的纳米晶钛薄膜是利用磁控溅射方法制备出的，其具有择优晶粒取向（002），晶粒尺寸为2～500nm，厚度为100nm～3???????????????????????????????????????????????m。2013100844299100001dest_path_image001.jpg

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈爱英，张番，刘颖龙，刘芳，潘登，
申请(专利权)人：上海理工大学，
类型：发明
国别省市：