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一种方法，包括：在衬底上方形成硬掩模，图案化硬掩模以形成第一多个沟槽，以及在第一多个沟槽内填充有介电材料以形成多个介电区域。从多个介电区域之间去除硬掩模，其中，通过去除硬掩模留下第二多个沟槽。实施外延步骤以在第二多个沟槽内生长半导体材料。本...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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