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用于3D内存应用的PECVD氧化物-氮化物以及氧化物-硅堆栈制造技术
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下载用于3D内存应用的PECVD氧化物-氮化物以及氧化物-硅堆栈的技术资料
文档序号:8713063
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在单一等离子体增强化学气相沉积处理腔室中,将不同材料的层堆栈结构沉积至基板上,同时维持真空。将基板放到处理腔室中,并且第一处理气体用于在基板上形成第一层的第一材料。在第二处理气体用于在基板上形成第二层的第二材料之前,进行等离子体净化及气体净...
该专利属于应用材料公司所有,仅供学习研究参考,未经过应用材料公司授权不得商用。
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