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本发明提供一种半导体器件。该半导体器件包括半导体衬底。半导体器件包括设置在衬底上方的栅极。衬底具有凹槽。半导体器件包括沿着凹槽涂覆的沟槽衬垫。沟槽衬垫包括半导体晶体材料。沟槽衬垫直接邻接源极/漏极应力源器件。半导体器件还包括设置在沟槽衬垫上...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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