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本发明提供了一种半导体结构。该半导体结构包括：半导体衬底；和设置在半导体衬底上的栅极堆叠件。栅极堆叠件包括高k介电材料层；设置在高k介电材料层上的覆盖层；以及设置在覆盖层上的金属层。覆盖层和高k介电材料层具有基础结构。本发明还公开了用于具有...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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