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详细说明了一种发光二极管芯片，包括-n型导电区(1)，-p型导电区(2)，-作用区(3)，其在所述n型导电区(1)和p型导电区(2)之间，镜层(4)，其在所述p型导电区(2)的远离所述作用区(3)的一侧处，-封装层(5)，其在所述镜层(4)...该专利属于奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司授权不得商用。
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详细说明了一种发光二极管芯片，包括-n型导电区(1)，-p型导电区(2)，-作用区(3)，其在所述n型导电区(1)和p型导电区(2)之间，镜层(4)，其在所述p型导电区(2)的远离所述作用区(3)的一侧处，-封装层(5)，其在所述镜层(4)...