温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本公开的实施例一般提供在薄膜晶体管(TFT)器件中形成无氢含硅层的方法。在TFT器件、光电二极管、半导体二极管、发光二极管(LED)、有机发光二极管(OLED)或其他适合的显示器应用中，无氢含硅层可以作为钝化层、栅极介电层、蚀刻终止层或其他...
该专利属于应用材料公司所有，仅供学习研究参考，未经过应用材料公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。