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控制半导体制造期间等离子体成分通量和沉积的方法和装置制造方法及图纸
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下载控制半导体制造期间等离子体成分通量和沉积的方法和装置的技术资料
文档序号:8688064
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在等离子体工艺期间施加的时间依赖的衬底温度被确定。在任意给定时间的所述时间依赖的衬底温度基于对在该给定时间等离子体成分的粘附系数的控制而确定。在所述等离子体工艺期间施加的上等离子体边界和衬底之间的时间依赖的温差也被确定。在任意给定时间的所述...
该专利属于朗姆研究公司所有,仅供学习研究参考,未经过朗姆研究公司授权不得商用。
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