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本发明涉及化学气相沉积（CVD）反应器系统，其具有由反应室壁围住的反应室，所述反应室壁的内表面被布置为朝向所述室的内部。至少一部分所述壁为朝向所述室的热控层，并且所述热控层由材料例如电解沉积的镍构成，所述材料在300K下测得的发射系数为0....
该专利属于瑞科硅公司所有，仅供学习研究参考，未经过瑞科硅公司授权不得商用。

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