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本发明涉及一种改善晶圆上栅极光刻关键尺寸均匀性的方法，包括以下步骤：提供晶圆，在所述晶圆表面形成栅极层；在所述栅极层表面淀积氮氧化硅，形成电介质防反射涂层，所述电介质防反射涂层任意一处的厚度与目标厚度的偏差都小于2％；在所述电介质防反射涂层...
该专利属于无锡华润上华科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡华润上华科技有限公司授权不得商用。

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