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本发明涉及用于沟槽器件的集成的栅流道和场植入终端。在一个通常的方面，装置可以包括形成在基板的外延层内的多个沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）器件以及布置在多个沟槽MOSFET器件周围并且布置在外延层内的栅流道沟槽。该装置还可以...
该专利属于飞兆半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过飞兆半导体公司授权不得商用。

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