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本发明涉及一种MOS器件及其制造方法。所述器件包括半导体衬底；形成在半导体衬底中的沟道；形成在沟道上的栅堆叠以及围绕所述栅堆叠的侧墙；以及形成在侧墙两侧的衬底中的源/漏极；其中所述栅堆叠由绝缘层和其上的多层金属栅构成，所述多层金属栅由用于向...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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