温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种绝缘体上硅射频器件及其制作方法，射频器件的绝缘体上硅衬底内形成有暴露出部分高电阻率硅基板的沟槽，暴露在沟槽中的高电阻率硅基板上设置有与高电阻率硅基板接触的非掺杂多晶硅层，且至少有部分非掺杂多晶硅层被其上方的金属层覆盖住，这样...
该专利属于上海宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。