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一种半导体器件的形成方法，包括：半导体衬底具有存储区、逻辑区和电阻区，所述存储区的半导体衬底表面具有闪存栅极结构；在闪存栅极结构表面和电阻区表面形成第一介质层、以及所述第一介质层表面的第一多晶硅层；在电阻区的第一多晶硅层表面和侧壁、以及逻辑...
该专利属于上海宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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