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本发明实施例公开了一种半导体器件的制造方法，包括：提供超薄SOI衬底以及超薄SOI衬底的顶层硅上的栅区；在栅区两侧的顶层硅中形成至少暴露栅区下的顶层硅的侧壁的开口；在所述开口中、栅区下的顶层硅的侧壁上形成金属硅化物层；以金属材料填充所述开口...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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