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本发明公开了一种三维非易失性存储器件及其制造方法以及存储系统。所述三维非易失性存储器件包括：垂直沟道层，所述垂直沟道层从衬底突出；层间绝缘层和存储器单元，所述层间绝缘层和存储器单元沿着垂直沟道层交替地层叠；以及选择晶体管，所述选择晶体管包括...
该专利属于爱思开海力士有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过爱思开海力士有限公司授权不得商用。

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