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本申请公开了一种MOSFET及其制造方法，该MOSFET在SOI晶片中形成，所述MOSFET包括：浅沟槽隔离区，在所述半导体层中限定有源区；栅叠层，位于所述半导体层上；源区和漏区，位于所述半导体层中且位于所述栅叠层两侧；沟道区，位于所述半导...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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