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本发明提供了一种半导体结构，包括：衬底，包括半导体层以及位于该半导体层之上的绝缘层；两个半导体鳍片，并行地位于该衬底之上；第一栅极和第二栅极，分别位于所述两个半导体鳍片背离的外侧侧壁的中间区域上；第三栅极，位于所述两个半导体鳍片相邻的内侧侧...该专利属于中国科学院微电子研究所;北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所;北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司授权不得商用。