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本发明公开了一种半导体结构，包括：衬底，位于所述衬底上的导体层和围绕所述导体层的电介质层；覆盖所述导体层和所述电介质层的绝缘层；形成在所述绝缘层上的栅极导体层，以及围绕所述栅极导体层的电介质层；覆盖所述栅极导体层和所述围绕栅极导体层的电介质...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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