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本发明公开了一种半导体结构。半导体结构包括第一III-V族化合物层。第二III-V族化合物层设置在第一III-V族化合物层上，并且该第二III-V族化合物层在组成上与第一III-V族化合物层不同。载流子沟道位于第一III-V族化合物层和第二...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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