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本发明提供一种分栅快闪存储器及其形成方法。其中，分栅快闪存储器的形成方法包括在衬底上依次形成第一介质层、浮栅层；浮栅层上形成分立的第二介质层，第二介质层所在区域为字线区；第二介质层周围形成第一侧墙，相邻第一侧墙间区域为源极线区；以第一侧墙为...
该专利属于上海宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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