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本发明是有关于一种非挥发性记忆体及其制造方法。该非挥发性记忆体的制造方法是先在基底上形成具有突起部的第一氧化物层。然后，在突起部二侧的基底中形成一对掺杂区。接着，在突起部的侧壁上形成一对电荷储存间隙壁。而后，在第一氧化物层与电荷储存间隙壁上...
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