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一种互连线结构和互连线结构的形成方法，其中，互连线结构的形成方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底中形成有半导体器件；在所述半导体衬底上形成导电层；在所述导电层上形成掩模层；在形成掩模层后，在掩模层和导电层中形成沟槽，所述沟槽的深宽比范围...
该专利属于上海宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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