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本发明涉及一种接触孔的刻蚀方法，包括下列步骤：在晶圆上淀积层间介质；对所述层间介质进行平坦化处理；进行接触孔光刻；进行接触孔湿法腐蚀，将所述层间介质腐蚀掉30%~70%厚度；进行接触孔干法刻蚀。本发明采用两步刻蚀工艺，第一步采用湿法腐蚀，利...
该专利属于深圳深爱半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳深爱半导体股份有限公司授权不得商用。

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