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本发明提供一种GaAsOI结构及Ⅲ-ⅤOI结构的制备方法，先通过外延技术和离子注入技术形成半导体衬底、GaAs层结构，所述半导体衬底中具有H离子或/及He离子注入层，且所述半导体衬底为Ge、Ge/Si、Ge/GeSi/Si或GOI衬底；于所...
该专利属于中国科学院上海微系统与信息技术研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院上海微系统与信息技术研究所授权不得商用。

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