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提供了用于诸如DRAM存储单元的电子器件的嵌入式晶体管及其制造方法。沟槽形成在衬底中，并且栅极介电层和栅电极形成在衬底的沟槽中，源极区域/漏极区域形成在沟槽的相对侧上的衬底中。在实施例中，源极区域/漏极区域中的一个连接至存储节点，源极区域/...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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