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本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及调节接触电阻阻值的工艺。本发明利用钨回蚀工艺形成钨/铜栓，并通过调节回蚀工艺时间来控制形成的钨/铜栓中钨层和铜层的比例，以达到控制接触电阻阻值大学的目的，进而提高半导体器件的电学性能和产品的良率。...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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