温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种可变带隙的Fe-B-Si三元半导体非晶薄膜及其制备方法，属半导体材料技术领域。这种薄膜材料具有如下通式：Fe3B1Six，x为4.8~18；随着x从4.8增加到18，带隙宽度从0.66eV减小到0.60eV，薄膜结构均为非晶态。该薄膜有...
该专利属于大连理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过大连理工大学授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。