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本发明公开一种隐埋硅化物抬升外基区全自对准双极晶体管及其制备方法，为解决现有产品及方法不能有效减小基极电阻RB的缺点而发明。本发明隐埋硅化物抬升外基区全自对准双极晶体管的抬升外基区由隐埋低电阻金属硅化物层、第一导电类型重掺杂多晶硅层和Si/...
该专利属于清华大学所有，仅供学习研究参考，未经过清华大学授权不得商用。

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