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本发明提供一种半导体装置，具有场效应型晶体管、第5半导体层、第1二极管和第2二极管，该场效应型晶体管具有：半导体基板、设在所述半导体基板内的多个第2半导体层、以及设在所述第1半导体层的另一方的表面的第6半导体层，该第5半导体层设在所述半导体...
该专利属于株式会社东芝所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社东芝授权不得商用。

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