温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

公开了用于制造半导体器件的方法。应变材料形成在衬底的腔中并且与衬底中的隔离结构相邻。应变材料具有位于衬底表面上方的角部。所公开的方法提供了用于利用衬底腔中的增加部分形成与隔离结构相邻的应变材料的改进方法，以增强载流子迁移率并提升器件性能。通...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。