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本实用新型涉及一种晶圆与晶圆、晶圆与芯片、芯片与芯片键合的结构。该结构包括制备包括多个金属压点的第一衬底和靠近所述金属压点的第一电介质层，所述金属压点和所述第一电介质层位于所述第一衬底的上表面；包括多个半导体压点的第二衬底和靠近所述半导体压...
该专利属于上海丽恒光微电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海丽恒光微电子科技有限公司授权不得商用。

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