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一种半导体集成器件形成方法，在第一区域的掩膜层内形成第一开口，在第二区域的掩膜层内形成第二开口，在第一开口的侧壁形成第一侧墙，在第二开口的侧壁形成第二侧墙，且利用同一形成工艺在第一开口和第二开口内填充满多晶硅，位于第一开口内的多晶硅形成分栅...
该专利属于上海宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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