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本发明涉及超薄单晶硅片制造技术领域，特别涉及一种厚度小于40um的单晶硅片的制备方法，应用于半导体器件和太阳电池领域。其特征在于包括如下步骤：把原料多晶硅块放入单晶炉的石英坩埚中；单晶炉关闭，抽真空到10-2-10-3Torr，然后冲入高纯...
该专利属于常州大学所有，仅供学习研究参考，未经过常州大学授权不得商用。

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