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本发明涉及一种半导体器件及其制造方法。在帽层和势垒层之间的界面处以及沟道层和缓冲层之间的界面处产生压缩应变，并且在势垒层和沟道层之间的界面处产生拉伸应变。因此，在帽层和势垒层之间的界面处以及沟道层和缓冲层之间的界面处的负电荷高于正电荷，而势...
该专利属于瑞萨电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过瑞萨电子株式会社授权不得商用。

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