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本申请公开了一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：半导体层；对所述半导体层构图形成的鳍片；以及跨于所述鳍片上的栅堆叠，其中，所述鳍片在底部包括掺杂的阻挡区。根据本发明的实施例，通过所述阻挡区，可以有利地防止鳍片底部的漏电流。...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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