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一种器件包括接合至衬底的芯片。该芯片包括:导电柱,该导电柱具有沿着导电柱的长轴测量的长度(L)和沿着导电柱的短轴测量的宽度(W);以及衬底,该衬底包括导电迹线和位于导电迹线上面的掩模层,其中掩模层具有暴露出一部分导电迹线的开口,其中,在导电...该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。
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