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一种改善高压MOS晶体管栅致漏电的方法，包括：第一步骤，用于在硅片上形成高压NMOS晶体管栅极结构以及高压PMOS晶体管栅极结构；第二步骤，用于在第一步骤之后得到的结构上布置光刻胶，并且形成光刻胶的图案，从而去除所有高压PMOS晶体管区域上...
该专利属于上海宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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