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一种沟槽式P型金属氧化物半导体功率晶体管制造方法包括：叠层形成步骤，在衬底上依次形成外延层、二氧化硅层、氮化硅层以及硬掩膜层；凹槽刻蚀步骤，形成硬掩膜层的图案并利用形成图案的硬掩膜层在氮化硅层、二氧化硅层和外延层的叠层中形成凹槽；硬掩膜去除...
该专利属于上海宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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