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一种自对准超结功率晶体管的制作方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上依次形成外延层、第一光刻胶；利用掩膜版对所述第一光刻胶进行曝光，所述掩膜版上具有多个第一沟槽图形和第二沟槽图形，相邻两个所述第一沟槽图形之间具有一所述第二沟槽图形，...
该专利属于上海宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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