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一种半导体装置的制造方法，具备：在第1导电型的半导体基板的上表面形成多个沟槽的工序；在上述沟槽的内面上形成栅绝缘膜的工序；在上述沟槽内的下部埋入栅电极的工序；在上述沟槽内的上部埋入绝缘部件的工序；将上述半导体基板的上层部除去从而使上述绝缘部...
该专利属于株式会社东芝所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社东芝授权不得商用。

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