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本发明提供了一种方法,包括提供室,室具有第一入口和第二入口。将去离子(DI)水和酸(如,稀酸)的溶液通过第一入口提供到室。将载气(如,N2)通过第二入口提供到室。溶液和载气在室中,然后从室到达单个半导体晶圆上。在实施例中,溶液包括稀HCl和...该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。
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本发明提供了一种方法,包括提供室,室具有第一入口和第二入口。将去离子(DI)水和酸(如,稀酸)的溶液通过第一入口提供到室。将载气(如,N2)通过第二入口提供到室。溶液和载气在室中,然后从室到达单个半导体晶圆上。在实施例中,溶液包括稀HCl和...