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本发明提供的是一种垂直无结环栅MOSFET器件的结构及其制造方法。包括底层n型硅晶圆衬底101，漏区111位于器件的最低端；在衬底101上外延生长漏扩展区106，沟道区107，和源区108，栅氧化层109包围整个沟道区107，在栅氧化层10...
该专利属于哈尔滨工程大学所有，仅供学习研究参考，未经过哈尔滨工程大学授权不得商用。

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