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本发明涉及一种绝缘隐埋层中有带电区的衬底。本发明特别涉及一种半导体结构，包括：连续包括基底晶片（1）、绝缘层（2）和半导体顶层（3）的衬底，所述半导体顶层（3）上的图像传感器器件，所述半导体结构的特征在于，所述绝缘层（2）包括电荷密度的绝对...
该专利属于SOITEC公司所有，仅供学习研究参考，未经过SOITEC公司授权不得商用。

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