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本发明涉及半导体结构及其制造方法。一种半导体结构包括：半导体基底；依次形成在半导体基底上的第一绝缘材料层、第一导电材料层、第二绝缘材料层、第二导电材料层、绝缘埋层；结合在绝缘埋层上的半导体层；形成在半导体层上的晶体管，晶体管的沟道区均形成于...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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