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本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：至少4个导线组，所述至少4个导线组被平行布置在一个存储器单元块之上，并且每个导线组被配置成包括导线；第一接触焊盘，所述第一接触焊盘可以在第一方向上与4个导线组中的两个导线组的导线的...
该专利属于爱思开海力士有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过爱思开海力士有限公司授权不得商用。

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