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本发明涉及半导体衬底、具有该半导体衬底的集成电路及其制造方法。根据本发明的用于含有具有背栅的晶体管的集成电路的半导体衬底，包括：半导体基底；在所述半导体基底上的第一绝缘材料层；在所述第一绝缘材料层上的第一导电材料层；在所述第一导电材料层上的...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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