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本发明提供了一种后栅工艺中栅电极与接触连线同时制备的方法，包括以下步骤：在衬底上的层间介质层中形成栅极沟槽；在栅极沟槽中以及层间介质层上形成填充层；刻蚀填充层以及层间介质层直至露出衬底，形成源漏接触孔；去除填充层，露出栅极沟槽以及源漏接触孔...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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